三星：已完成16层混合键合HBM内存验证 整体高度缩减

据媒体报道，三星电子高管近日透露，该公司完成了采用16层混合键合 HBM 内存技术验证，已制造出基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存样品，该内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。

混合键合技术，作为新型的内存键合方式，相较于传统工艺，展现出了显著的优势。

它摒弃了DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，通过铜对铜的直接连接方式实现层间连接，从而大大提高了工作效率。

这种创新不仅显著提升了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，而且有效降低了DRAM层间距，使得HBM模块的整体高度得到显著缩减，进一步提升了其集成度和便携性。

尽管混合键合技术的成熟度和应用成本一直是业界关注的焦点，但三星电子通过多元化的策略，积极应对这些挑战。在推进混合键合技术研究与应用的同时，公司还同步开发传统的TC-NCF工艺，以实现技术多样化，降低风险，并增强整体竞争力。

据悉，三星设定的目标是将HBM4中的晶圆间隙缩减至7.0微米以内，这将进一步提升HBM4的性能和可靠性，为未来的计算应用奠定坚实基础。

业内专家对此表示，三星在16层混合键合堆叠工艺技术方面的突破，无疑将有力推动HBM内存技术的发展，为未来的计算应用提供更为强大的内存支持。