三星电子计划引领2025年3D DRAM内存新时代

【捷维科技】4月1日消息，近日，据权威外媒Semiconductor Engineering报道，在备受瞩目的行业盛会Memcon2024上，三星电子透露了其雄心勃勃的计划：预计在2025年后，引领业界率先迈入3D DRAM内存新纪元。

随着DRAM内存行业不断将线宽推至10纳米以下的极限，当前的设计方案正面临前所未有的挑战。在此背景下，业界纷纷将目光投向了包括3DDRAM在内的创新型内存设计，以期突破技术瓶颈。

在Memcon 2024的演讲中，三星向与会者展示了其在3D DRAM内存领域的两项革命性技术：垂直通道晶体管(Vertical ChannelTransistor)与堆叠DRAM(StackedDRAM)。相较于传统的水平沟道晶体管，垂直通道晶体管通过改变沟道方向，实现了器件面积的显著缩减，尽管这同时也对刻蚀工艺的精度提出了更高的要求。

另一方面，堆叠DRAM技术的亮相同样引人注目。该技术通过充分利用z轴空间，使得在有限的芯片面积内能够容纳更多的存储单元。据三星公布的数据显示，采用堆叠DRAM技术后，单芯片的存储容量有望提升至惊人的100G以上。

据捷维科技了解，三星对于3D DRAM市场的未来充满了信心。据市场分析师预测，到2028年，3DDRAM市场的规模有望达到惊人的1000亿美元(折合人民币约7240亿元)。为了在这场激烈的竞争中抢占先机，三星已于今年初在美国硅谷设立了全新的3DDRAM研发实验室，旨在汇聚全球顶尖科研力量，共同推动3D DRAM技术的突破与创新。

三星的这一系列举措无疑向外界传递了一个明确的信号：在即将到来的3DDRAM时代，三星将继续保持其在内存领域的领先地位，并致力于推动整个行业的持续进步与发展。